DMG4N65CT

DIODES | 单端场效应管

制造厂商：DIODES（美台半导体）

功能简述：MOSFET N CH 650V 4A TO220-3

原厂封装：TO-220-3

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Diodes公司完整型号：DMG4N65CT

制造厂家名称：Diodes Incorporated

描述：MOSFET N CH 650V 4A TO220-3

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：650V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3 欧姆 @ 2A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：13.5nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：900pF @ 25V

功率 - 最大值：2.19W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商器件封装：TO-220-3

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