DMJ7N70SK3-13

DIODES | FET - 单

制造厂商：DIODES（美台半导体）

功能简述：MOSFET N-CH 700V 3.9A

原厂封装：TO-252-3，DPak

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Diodes公司完整型号: DMJ7N70SK3-13

制造厂家名称: Diodes Incorporated

功能总体简述: MOSFET N-CH 700V 3.9A

系列: -

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 700V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 3.9A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 1.25 欧姆 @ 2.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 13.9nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 351pF @ 50V

功率 - 最大值: 28W

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装: TO-252

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