DMN1032UCB4-7

DIODES | 单端场效应管

制造厂商：DIODES（美台半导体）

功能简述：MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4

原厂封装：U-WLB1010-4

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Diodes公司完整型号：DMN1032UCB4-7

制造厂家名称：Diodes Incorporated

描述：MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：12V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4.8A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：26 毫欧 @ 1A， 4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：4.5nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：450pF @ 6V

功率 - 最大值：900mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：4-UFBGA

供应商器件封装：U-WLB1010-4

耐智电子是国内领先的DMN1032UCB4-7供应商

DMN1032UCB4-7供应商-耐智电子

DIODES

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