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DMN10H099SFG-13代理

DMN10H099SFG-13

DIODES | FET - 单
制造厂商:DIODES(美台半导体)
功能简述:MOSFET N-CH 100V 4.2A
原厂封装:8-PowerVDFN
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  • Diodes公司完整型号: DMN10H099SFG-13
  • 制造厂家名称: Diodes Incorporated
  • 功能总体简述: MOSFET N-CH 100V 4.2A
  • 系列: -
  • FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能: 标准
  • 漏源极电压(Vdss): 100V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 4.2A(Ta)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 80 毫欧 @ 3.3A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 25.2nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 1172pF @ 50V
  • 功率 - 最大值: 980mW
  • 安装类型: 表面贴装
  • 封装/外壳: 8-PowerVDFN
  • 供应商器件封装: PowerDI3333-8
  • 耐智电子是国内领先的DMN10H099SFG-13供应商
  • DMN10H099SFG-13供应商-耐智电子
  • DIODES
    DMN1029UFDB-13
  • DIODES
    DMN10H100SK3-13
  • 二极管TVS
    1.5KE200A-B
  • 晶体管阵列
    ZHB6718TC
  • 配电开关,负载驱动器
    AP2822GKETR-G1
  • 电机驱动器,控制器
    AM4961AGSTR-G1
  • DMN10H099SFG-13是DIODES美台半导体公司的一款产品,DIODES代理商耐智电子全程提供DMN10H099SFG-13现货支持、优势价格、充足货源,是国内领先的DMN10H099SFG-13供应商。

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