DMN2005UFG-7

DIODES | 单端场效应管

制造厂商：DIODES（美台半导体）

功能简述：MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8

原厂封装：PowerDI3333-8

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Diodes公司完整型号：DMN2005UFG-7

制造厂家名称：Diodes Incorporated

描述：MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：18.1A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：4.6 毫欧 @ 13.5A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：164nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：6495pF @ 10V

功率 - 最大值：1.05W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerVDFN

供应商器件封装：PowerDI3333-8

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DMN2005UFG-7供应商-耐智电子

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