DMN30H14DLY-13

DIODES | 单端场效应管

制造厂商：DIODES（美台半导体）

功能简述：MOSFET N-CH 300V .21A SOT-89

原厂封装：SOT-89

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Diodes公司完整型号：DMN30H14DLY-13

制造厂家名称：Diodes Incorporated

描述：MOSFET N-CH 300V .21A SOT-89

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：300V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：210mA（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：14 欧姆 @ 300mA， 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：4nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：96pF @ 25V

功率 - 最大值：900mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-243AA

供应商器件封装：SOT-89

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DMN30H14DLY-13供应商-耐智电子

DIODES

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