DMN62D0LFB-7

DIODES | 单端场效应管

制造厂商：DIODES（美台半导体）

功能简述：MOSFET N-CH 60V X2-DFN1006-3

原厂封装：3-X1DFN1006

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Diodes公司完整型号：DMN62D0LFB-7

制造厂家名称：Diodes Incorporated

描述：MOSFET N-CH 60V X2-DFN1006-3

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：60V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：100mA（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：2 欧姆 @ 100mA，4V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：0.45nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：32pF @ 25V

功率 - 最大值：470mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：3-UFDFN

供应商器件封装：3-X1DFN1006

耐智电子是国内领先的DMN62D0LFB-7供应商

DMN62D0LFB-7供应商-耐智电子

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DMN62D0LFB-7是DIODES美台半导体公司的一款产品，DIODES代理商耐智电子全程提供DMN62D0LFB-7现货支持、优势价格、充足货源，是国内领先的DMN62D0LFB-7供应商。

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