DMP1200UFR4-7

DIODES | FET - 单

制造厂商：DIODES（美台半导体）

功能简述：MOSFET P-CH 12V 2A X2-DFN1010-3

原厂封装：3-XFDFN

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Diodes公司完整型号: DMP1200UFR4-7

制造厂家名称: Diodes Incorporated

功能总体简述: MOSFET P-CH 12V 2A X2-DFN1010-3

系列: -

FET 类型: MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 12V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 2A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 100 毫欧 @ 2A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 5.8nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 514pF @ 5V

功率 - 最大值: 480mW

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: 3-XFDFN

供应商器件封装: X2-DFN1010-3

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DMP1200UFR4-7供应商-耐智电子

DIODES

DIODES

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