NMSD200B01-7

DIODES | 单端场效应管

制造厂商：DIODES（美台半导体）

功能简述：MOSFET N-CH 60V 200MA SOT363

原厂封装：SOT-363

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Diodes公司完整型号：NMSD200B01-7

制造厂家名称：Diodes Incorporated

描述：MOSFET N-CH 60V 200MA SOT363

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：二极管（隔离式）

漏源极电压 (Vdss)：60V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：200mA（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3 欧姆 @ 50mA，5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：50pF @ 25V

功率 - 最大值：200mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装：SOT-363

耐智电子是国内领先的NMSD200B01-7供应商

NMSD200B01-7供应商-耐智电子

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