FCMT299N60

Fairchild | 单端场效应管

制造厂商：Fairchild（仙童）

功能简述：MOSFET N-CH 650V 12A POWER88

原厂封装：Power88

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Fairchild仙童公司完整型号：FCMT299N60

制造厂家名称：Fairchild Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 650V 12A POWER88

系列：SuperFET II

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：600V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：12A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：299 毫欧 @ 6A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：51nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1948pF @ 380V

功率 - 最大值：125W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：4-PowerTSFN

供应商器件封装：Power88

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