FDFME2P823ZT

Fairchild | 单端场效应管

制造厂商：Fairchild（仙童）

功能简述：MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET

原厂封装：6-MicroFET

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Fairchild仙童公司完整型号：FDFME2P823ZT

制造厂家名称：Fairchild Semiconductor

描述：MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET

系列：PowerTrench

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：二极管（隔离式）

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2.6A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：142 毫欧 @ 2.3A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：7.7nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：405pF @ 10V

功率 - 最大值：600mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-UMLP，6-MicroFET

供应商器件封装：6-MicroFET（1.6x1.6）

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