FDMJ1028N

Fairchild | 场效应管阵列

制造厂商：Fairchild（仙童）

功能简述：MOSFET 2N-CH 20V 3.2A 6-MICROFET

原厂封装：6-MicroFET

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Fairchild仙童公司完整型号：FDMJ1028N

制造厂家名称：Fairchild Semiconductor

描述：MOSFET 2N-CH 20V 3.2A 6-MICROFET

系列：PowerTrench

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3.2A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：90 毫欧 @ 3.2A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：3nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：200pF @ 10V

功率 - 最大值：800mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-WDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：6-MicroFET（2x5）

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