FQI19N20TU

Fairchild | 单端场效应管

制造厂商：Fairchild（仙童）

功能简述：MOSFET N-CH 200V 19.4A I2PAK

原厂封装：I2PAK

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Fairchild仙童公司完整型号：FQI19N20TU

制造厂家名称：Fairchild Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 200V 19.4A I2PAK

系列：QFET

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：200V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：19.4A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：150 毫欧 @ 9.7A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：40nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1600pF @ 25V

功率 - 最大值：3.13W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA

供应商器件封装：I2PAK

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