AUIRFN8459TR

IR | 场效应管阵列

制造厂商：IR（国际整流器Infineon）

功能简述：MOSFET 2N-CH 40V 50A 8PQFN

原厂封装：PQFN

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IR公司完整型号：AUIRFN8459TR

制造厂家名称：International Rectifier

描述：MOSFET 2N-CH 40V 50A 8PQFN

系列：HEXFET

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：40V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：50A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：5.9 毫欧 @ 40A， 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 50μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：60nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2250pF @ 25V

功率 - 最大值：50W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerTDFN

供应商器件封装：PQFN（5x6）

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