IRF40H210

IR | FET - 单

制造厂商：IR（国际整流器Infineon）

功能简述：MOSFET N-CH 40V 100A PQFN5X6

原厂封装：8-PowerVDFN

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IR公司完整型号: IRF40H210

制造厂家名称: International Rectifier(已被英飞凌收购)

功能总体简述: MOSFET N-CH 40V 100A PQFN5X6

系列: HEXFET，StrongIRFET

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 100A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 1.7 毫欧 @ 100A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 3.7V @ 150μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 152nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 5406pF @ 25V

功率 - 最大值: 125W

安装类型: *

封装/外壳: 8-PowerVDFN

供应商器件封装: 8-PQFN（5x6）

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IRF40H210供应商-耐智电子

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