IRF9952PBF

IR | 场效应管阵列

制造厂商：IR（国际整流器Infineon）

功能简述：MOSFET N+P 30V 2.3A 8-SOIC

原厂封装：8-SO

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IR公司完整型号：IRF9952PBF

制造厂家名称：International Rectifier

描述：MOSFET N+P 30V 2.3A 8-SOIC

系列：HEXFET

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3.5A，2.3A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：100 毫欧 @ 2.2A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：14nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：190pF @ 15V

功率 - 最大值：2W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SO

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