IRFH5020TR2PBF

IR | 单端场效应管

制造厂商：IR（国际整流器Infineon）

功能简述：MOSFET N-CH 200V 5.1A 8VQFN

原厂封装：PQFN

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IR公司完整型号：IRFH5020TR2PBF

制造厂家名称：International Rectifier

描述：MOSFET N-CH 200V 5.1A 8VQFN

系列：HEXFET

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：200V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：5.1A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：55 毫欧 @ 7.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 150μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：54nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2290pF @ 100V

功率 - 最大值：3.6W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-VQFN

供应商器件封装：PQFN（5x6）单芯片焊盘

耐智电子是国内领先的IRFH5020TR2PBF供应商

IRFH5020TR2PBF供应商-耐智电子

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