IXYS成立于1983年，IXYS的MOSFET由于内置了恢复速度快,恢复特性良好的二极管,无论在动态和静态状态下,dv/dt的特性都得以提高,从而使HiPerFET在更恶劣的条件下也能安全工作,因此,它适合在各种感性负载作为开关器件.IXYS的F-ClassMOSFET,主要在超高频的开关电源,射频,激光等应用,操作频率可达到150MHz,该系列产品有极低的门极充电电量。2013年6月，IXYS宣布以5000万美元左右的价格，收购三星电子(Samsung)的4位与8位微控制器(MCU)业务。根据双方协议，Ixys将接收三星电子近80条4位与8位MCU产品线，包括库存、IP与相关资产；收购案仍有待通过各种官方程序，预计下个月可完成。而未来三星将继续在一项扩大的代工伙伴合约之下，为Ixys制造MCU产品。