BSB012N03LX3 G

Infineon | 单端场效应管

制造厂商：Infineon（英飞凌）

功能简述：MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON

原厂封装：MG-WDSON-2

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Infineon英飞凌公司完整型号：BSB012N03LX3 G

制造厂家名称：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON

系列：OptiMOS?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：39A（Ta），180A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.2 毫欧 @ 30A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：169nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：16900pF @ 15V

功率 - 最大值：2.8W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：3-WDSON

供应商器件封装：MG-WDSON-2，CanPAK M

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