BSC082N10LS G

Infineon | 单端场效应管

制造厂商：Infineon（英飞凌）

功能简述：MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8

原厂封装：PG-TDSON-8

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Infineon英飞凌公司完整型号：BSC082N10LS G

制造厂家名称：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8

系列：OptiMOS?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：100V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：13.8A（Ta），100A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：8.2 毫欧 @ 100A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 110μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：104nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：7400pF @ 50V

功率 - 最大值：156W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerTDFN

供应商器件封装：PG-TDSON-8

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