BSC0911NDATMA1

Infineon | FET - 阵列

制造厂商：Infineon（英飞凌）

功能简述：MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON-8

原厂封装：8-PowerTDFN

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Infineon英飞凌公司完整型号: BSC0911NDATMA1

制造厂家名称: Infineon Technologies

功能总体简述: MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON-8

系列: OptiMOS?

FET 类型: 2 N 沟道（双）非对称型

FET 功能: 逻辑电平栅极，4.5V 驱动

漏源极电压（Vdss）: 25V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 18A，30A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 3.2 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 12nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 1600pF @ 12V

功率 - 最大值: 1W

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: PG-TISON-8

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