BSC750N10ND G

Infineon | 场效应管阵列

制造厂商：Infineon（英飞凌）

功能简述：MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON

原厂封装：PG-TDSON-8

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Infineon英飞凌公司完整型号：BSC750N10ND G

制造厂家名称：Infineon Technologies

描述：MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON

系列：OptiMOS?

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：100V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：13A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：75 毫欧 @ 13A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 12μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：11nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：720pF @ 50V

功率 - 最大值：26W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerVDFN

供应商器件封装：PG-TDSON-8（5.15x6.15）

耐智电子是国内领先的BSC750N10ND G供应商

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