BSP149H6327XTSA1

Infineon | FET - 单

制造厂商：Infineon（英飞凌）

功能简述：MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223

原厂封装：TO-261-4，TO-261AA

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Infineon英飞凌公司完整型号: BSP149H6327XTSA1

制造厂家名称: Infineon Technologies

功能总体简述: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223

系列: SIPMOS

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 耗尽模式

漏源极电压（Vdss）: 200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 660mA（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 1.8 欧姆 @ 660mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1V @ 400μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 14nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 430pF @ 25V

功率 - 最大值: 1.8W

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA

供应商器件封装: PG-SOT223-4

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