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BSZ067N06LS3 G代理

BSZ067N06LS3 G

Infineon | 单端场效应管
制造厂商:Infineon(英飞凌)
功能简述:MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
原厂封装:PG-TSDSON-8
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  • Infineon英飞凌公司完整型号:BSZ067N06LS3 G
  • 制造厂家名称:Infineon Technologies
  • 描述:MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
  • 系列:OptiMOS?
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):60V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):14A(Ta),20A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):6.7 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 35μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):67nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5100pF @ 30V
  • 功率 - 最大值:69W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-PowerVDFN
  • 供应商器件封装:PG-TSDSON-8(3.3x3.3)
  • 耐智电子是国内领先的BSZ067N06LS3 G供应商
  • BSZ067N06LS3 G供应商-耐智电子
  • Infineon
    BSZ035N03MS G
  • Infineon
    BSZ065N03LS
  • 单端场效应管
    SPP80N06S2L-05
  • 电机, 电桥式驱动器芯片
    BTN7960P
  • 单路晶体管(BJT)
    BCP 54-16 E6327
  • FET - 单
    IPD78CN10NGATMA1
  • BSZ067N06LS3 G是Infineon英飞凌公司的一款产品,Infineon代理商耐智电子全程提供BSZ067N06LS3 G现货支持、优势价格、充足货源,是国内领先的BSZ067N06LS3 G供应商。

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