BSZ165N04NS G

Infineon | 单端场效应管

制造厂商：Infineon（英飞凌）

功能简述：MOSFET N-CH 40V 31A TSDSON-8

原厂封装：PG-TSDSON-8

BSZ165N04NS G一手货源 + 极具竞争力的价格 + 大小批量出货

耐智电子为您提供BSZ165N04NS G的火速报价及代理采购等服务

Infineon英飞凌公司完整型号：BSZ165N04NS G

制造厂家名称：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 40V 31A TSDSON-8

系列：OptiMOS?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：40V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：8.9A（Ta），31A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：16.5 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 10μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：10nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：840pF @ 20V

功率 - 最大值：25W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerTDFN

供应商器件封装：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）

耐智电子是国内领先的BSZ165N04NS G供应商

BSZ165N04NS G供应商-耐智电子

Infineon

Infineon

单端场效应管

微控制器

单端场效应管

单路IGBT

BSZ165N04NS G是Infineon英飞凌公司的一款产品，Infineon代理商耐智电子全程提供BSZ165N04NS G现货支持、优势价格、充足货源，是国内领先的BSZ165N04NS G供应商。

深圳市耐智电子有限公司 - 帮助您解决电子元器件采购难题！

一手货源 + 专注现货 + 极具竞争力的价格 + 大小批量出货 = 您最信赖的IC供应商伙伴！