BSZ900N20NS3 G

Infineon | 单端场效应管

制造厂商：Infineon（英飞凌）

功能简述：MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON

原厂封装：PG-TSDSON-8

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Infineon英飞凌公司完整型号：BSZ900N20NS3 G

制造厂家名称：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON

系列：OptiMOS?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：200V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：15.2A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：90 毫欧 @ 7.6A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 30μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：11.6nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：920pF @ 100V

功率 - 最大值：62.5W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerTDFN

供应商器件封装：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）

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BSZ900N20NS3 G供应商-耐智电子

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