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IPB038N12N3 G代理

IPB038N12N3 G

Infineon | 单端场效应管
制造厂商:Infineon(英飞凌)
功能简述:MOSFET N-CH 120V 120A TO263-3
原厂封装:PG-TO263-2
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  • Infineon英飞凌公司完整型号:IPB038N12N3 G
  • 制造厂家名称:Infineon Technologies
  • 描述:MOSFET N-CH 120V 120A TO263-3
  • 系列:OptiMOS?
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):120V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):120A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):3.8 毫欧 @ 100A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 270μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):211nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):13800pF @ 60V
  • 功率 - 最大值:300W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商器件封装:PG-TO263-2
  • 耐智电子是国内领先的IPB038N12N3 G供应商
  • IPB038N12N3 G供应商-耐智电子
  • Infineon
    IPB023N06N3 G
  • Infineon
    IPB06N03LB
  • FET - 单
    IPW60R099P6XKSA1
  • DC-DC开关稳压器芯片
    TLF50211ELXUMA1
  • 二极管,整流器阵列
    BAW 79D E6327
  • 单路﹐预偏压式晶体管
    BCR 141 E6433
  • IPB038N12N3 G是Infineon英飞凌公司的一款产品,Infineon代理商耐智电子全程提供IPB038N12N3 G现货支持、优势价格、充足货源,是国内领先的IPB038N12N3 G供应商。

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