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IPB039N10N3 G E8187代理

IPB039N10N3 G E8187

Infineon | 单端场效应管
制造厂商:Infineon(英飞凌)
功能简述:MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
原厂封装:PG-TO263-7
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  • Infineon英飞凌公司完整型号:IPB039N10N3 G E8187
  • 制造厂家名称:Infineon Technologies
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
  • 系列:OptiMOS?
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):100V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):160A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):3.9 毫欧 @ 100A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 160μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):117nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):8410pF @ 50V
  • 功率 - 最大值:214W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-263-7,D2Pak(6 引线+接片),TO-263CB
  • 供应商器件封装:PG-TO263-7
  • 耐智电子是国内领先的IPB039N10N3 G E8187供应商
  • IPB039N10N3 G E8187供应商-耐智电子
  • Infineon
    IPB026N06N
  • Infineon
    IPB04N03LA
  • 单端场效应管
    IPD60R385CP
  • 配电开关,负载驱动器
    ITS4200SMEOHUMA1
  • 桥式整流器
    BAS 4002A RPP E6327
  • 二极管TVS
    ESD5V0S4US H6327
  • IPB039N10N3 G E8187是Infineon英飞凌公司的一款产品,Infineon代理商耐智电子全程提供IPB039N10N3 G E8187现货支持、优势价格、充足货源,是国内领先的IPB039N10N3 G E8187供应商。

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