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IPB05CN10N G代理

IPB05CN10N G

Infineon | 单端场效应管
制造厂商:Infineon(英飞凌)
功能简述:MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
原厂封装:PG-TO263-2
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  • Infineon英飞凌公司完整型号:IPB05CN10N G
  • 制造厂家名称:Infineon Technologies
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
  • 系列:OptiMOS?
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):100V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):100A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):5.1 毫欧 @ 100A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):181nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):12000pF @ 50V
  • 功率 - 最大值:300W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商器件封装:PG-TO263-2
  • 耐智电子是国内领先的IPB05CN10N G供应商
  • IPB05CN10N G供应商-耐智电子
  • Infineon
    IPB06N03LA G
  • Infineon
    IPB04N03LA G
  • PTC热敏电阻
    KTY135
  • 单路IGBT
    IKA08N65H5XKSA1
  • 电机, 电桥式驱动器芯片
    BTM7751G
  • 单端场效应管
    SPD02N50C3
  • IPB05CN10N G是Infineon英飞凌公司的一款产品,Infineon代理商耐智电子全程提供IPB05CN10N G现货支持、优势价格、充足货源,是国内领先的IPB05CN10N G供应商。

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