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IPB067N08N3 G代理

IPB067N08N3 G

Infineon | 单端场效应管
制造厂商:Infineon(英飞凌)
功能简述:MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3
原厂封装:PG-TO263-2
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  • Infineon英飞凌公司完整型号:IPB067N08N3 G
  • 制造厂家名称:Infineon Technologies
  • 描述:MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3
  • 系列:OptiMOS?
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):80V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):80A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):6.7 毫欧 @ 73A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 73μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):56nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3840pF @ 40V
  • 功率 - 最大值:136W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商器件封装:PG-TO263-2
  • 耐智电子是国内领先的IPB067N08N3 G供应商
  • IPB067N08N3 G供应商-耐智电子
  • Infineon
    IPB034N06L3 G
  • Infineon
    IPB06N03LA
  • 单端场效应管
    SPP16N50C3
  • AC-DC转换器,离线开关芯片
    ICE2B365
  • 晶体管阵列
    BC 817UPN B6327
  • 单端场效应管
    IPD180N10N3 G
  • IPB067N08N3 G是Infineon英飞凌公司的一款产品,Infineon代理商耐智电子全程提供IPB067N08N3 G现货支持、优势价格、充足货源,是国内领先的IPB067N08N3 G供应商。

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