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IPB108N15N3 G代理

IPB108N15N3 G

Infineon | 单端场效应管
制造厂商:Infineon(英飞凌)
功能简述:MOSFET N-CH 150V 83A TO263-3
原厂封装:PG-TO263-2
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  • Infineon英飞凌公司完整型号:IPB108N15N3 G
  • 制造厂家名称:Infineon Technologies
  • 描述:MOSFET N-CH 150V 83A TO263-3
  • 系列:OptiMOS?
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):150V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):83A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):10.8 毫欧 @ 83A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 160μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):55nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3230pF @ 75V
  • 功率 - 最大值:214W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商器件封装:PG-TO263-2
  • 耐智电子是国内领先的IPB108N15N3 G供应商
  • IPB108N15N3 G供应商-耐智电子
  • Infineon
    IPB160N04S3-H2
  • Infineon
    IPB100N06S3L-04
  • 单路﹐预偏压式晶体管
    BCR 103F E6327
  • 单端场效应管
    BSB012NE2LX
  • LED驱动器芯片
    BCR 402W H6327
  • 单端场效应管
    IPW60R125CP
  • IPB108N15N3 G是Infineon英飞凌公司的一款产品,Infineon代理商耐智电子全程提供IPB108N15N3 G现货支持、优势价格、充足货源,是国内领先的IPB108N15N3 G供应商。

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