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IPD082N10N3GATMA1代理

IPD082N10N3GATMA1

Infineon | FET - 单
制造厂商:Infineon(英飞凌)
功能简述:MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
原厂封装:TO-252-3,DPak
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  • Infineon英飞凌公司完整型号: IPD082N10N3GATMA1
  • 制造厂家名称: Infineon Technologies
  • 功能总体简述: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
  • 系列: OptiMOS?
  • FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能: 标准
  • 漏源极电压(Vdss): 100V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 80A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 8.2 毫欧 @ 73A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 3.5V @ 75μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 55nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 3980pF @ 50V
  • 功率 - 最大值: 125W
  • 安装类型: 表面贴装
  • 封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商器件封装: PG-TO252-3
  • 耐智电子是国内领先的IPD082N10N3GATMA1供应商
  • IPD082N10N3GATMA1供应商-耐智电子
  • Infineon
    IPD079N06L3 G
  • Infineon
    IPD05N03LA G
  • 专用电源管理芯片
    TLE7826G
  • 单端场效应管
    IPP65R190CFD
  • 电信接口芯片
    PEB 2466 H V2.2
  • RF二极管
    BAR 90-02LRH E6327
  • IPD082N10N3GATMA1是Infineon英飞凌公司的一款产品,Infineon代理商耐智电子全程提供IPD082N10N3GATMA1现货支持、优势价格、充足货源,是国内领先的IPD082N10N3GATMA1供应商。

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