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IPD096N08N3 G代理

IPD096N08N3 G

Infineon | 单端场效应管
制造厂商:Infineon(英飞凌)
功能简述:MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
原厂封装:PG-TO252-3
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  • Infineon英飞凌公司完整型号:IPD096N08N3 G
  • 制造厂家名称:Infineon Technologies
  • 描述:MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
  • 系列:OptiMOS?
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):80V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):73A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):9.6 毫欧 @ 46A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 46μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):35nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2410pF @ 40V
  • 功率 - 最大值:100W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商器件封装:PG-TO252-3
  • 耐智电子是国内领先的IPD096N08N3 G供应商
  • IPD096N08N3 G供应商-耐智电子
  • Infineon
    IPD040N03L G
  • Infineon
    IPD075N03L G
  • 单端场效应管
    SPP20N60S5
  • 专用IC
    SLB 9635 TT1.2 FW3.17
  • RF二极管
    BAR 64-04W E6327
  • RF晶体管
    BFR 380T E6327
  • IPD096N08N3 G是Infineon英飞凌公司的一款产品,Infineon代理商耐智电子全程提供IPD096N08N3 G现货支持、优势价格、充足货源,是国内领先的IPD096N08N3 G供应商。

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