IPD65R1K4CFDBTMA1

Infineon | 单端场效应管

制造厂商：Infineon（英飞凌）

功能简述：MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252

原厂封装：PG-TO252

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Infineon英飞凌公司完整型号：IPD65R1K4CFDBTMA1

制造厂家名称：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252

系列：CoolMOS?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：650V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2.8A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.4 欧姆 @ 1A， 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 100μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：10nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：262pF @ 100V

功率 - 最大值：28.4W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装：PG-TO252

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