IPG20N10S4L22AATMA1

Infineon | FET - 单

制造厂商：Infineon（英飞凌）

功能简述：MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8

原厂封装：8-PowerVDFN

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Infineon英飞凌公司完整型号: IPG20N10S4L22AATMA1

制造厂家名称: Infineon Technologies

功能总体简述: MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8

系列: OptiMOS?

FET 类型: 2 个 N 沟道（双）

FET 功能: 逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）: 100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 20A

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 22 毫欧 @ 17A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.1V @ 25μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 27nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 1755pF @ 25V

功率 - 最大值: 60W

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: 8-PowerVDFN

供应商器件封装: PG-TDSON-8-10

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IPG20N10S4L22AATMA1供应商-耐智电子

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