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IPI086N10N3 G代理

IPI086N10N3 G

Infineon | 单端场效应管
制造厂商:Infineon(英飞凌)
功能简述:MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
原厂封装:PG-TO262-3
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  • Infineon英飞凌公司完整型号:IPI086N10N3 G
  • 制造厂家名称:Infineon Technologies
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
  • 系列:OptiMOS?
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):100V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):80A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):8.6 毫欧 @ 73A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 75μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):55nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3980pF @ 50V
  • 功率 - 最大值:125W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA
  • 供应商器件封装:PG-TO262-3
  • 耐智电子是国内领先的IPI086N10N3 G供应商
  • IPI086N10N3 G供应商-耐智电子
  • Infineon
    IPI030N10N3 G
  • Infineon
    IPI037N06L3 G
  • 单端场效应管
    IPD031N06L3 G
  • DC-DC切换控制器芯片
    TLE6389-2GV
  • 二极管,整流器阵列
    BAW 156 E6327
  • 单路﹐预偏压式晶体管
    BCR 141W H6327
  • IPI086N10N3 G是Infineon英飞凌公司的一款产品,Infineon代理商耐智电子全程提供IPI086N10N3 G现货支持、优势价格、充足货源,是国内领先的IPI086N10N3 G供应商。

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