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IPP26CNE8N G代理

IPP26CNE8N G

Infineon | 单端场效应管
制造厂商:Infineon(英飞凌)
功能简述:MOSFET N-CH 85V 35A TO-220
原厂封装:TO-220-3
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  • Infineon英飞凌公司完整型号:IPP26CNE8N G
  • 制造厂家名称:Infineon Technologies
  • 描述:MOSFET N-CH 85V 35A TO-220
  • 系列:OptiMOS?
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):85V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):35A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):26 毫欧 @ 35A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 39μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):31nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2070pF @ 40V
  • 功率 - 最大值:71W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商器件封装:TO-220-3
  • 耐智电子是国内领先的IPP26CNE8N G供应商
  • IPP26CNE8N G供应商-耐智电子
  • Infineon
    IPP25N06S3-25
  • Infineon
    IPP200N15N3 G
  • 光纤收发器
    V23826-K305-C53D3
  • 单端场效应管
    IPB120N04S3-02
  • 微控制器
    SAK-XC2287M-104F80L AA
  • 单端场效应管
    BSS84P-E6327
  • IPP26CNE8N G是Infineon英飞凌公司的一款产品,Infineon代理商耐智电子全程提供IPP26CNE8N G现货支持、优势价格、充足货源,是国内领先的IPP26CNE8N G供应商。

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