IPS65R1K0CEAKMA1

Infineon | FET - 单

制造厂商：Infineon（英飞凌）

功能简述：MOSFET N-CH 650V 4.3A TO-251-3

原厂封装：TO-251-3

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Infineon英飞凌公司完整型号: IPS65R1K0CEAKMA1

制造厂家名称: Infineon Technologies

功能总体简述: MOSFET N-CH 650V 4.3A TO-251-3

系列: CoolMOS CE

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 650V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 4.3A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 1 欧姆 @ 1.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 3.5V @ 200μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 15.3nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 328pF @ 100V

功率 - 最大值: 37W

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-251-3 短截引线，IPak

供应商器件封装: TO-251

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IPS65R1K0CEAKMA1供应商-耐智电子

Infineon

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