IPT012N08N5ATMA1

Infineon | FET - 单

制造厂商：Infineon（英飞凌）

功能简述：MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF

原厂封装：8-PowerSFN

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Infineon英飞凌公司完整型号: IPT012N08N5ATMA1

制造厂家名称: Infineon Technologies

功能总体简述: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF

系列: OptiMOS?

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 80V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 300A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 1.2 毫欧 @ 150A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 3.8V @ 280μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 223nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 17000pF @ 40V

功率 - 最大值: 375W

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: 8-PowerSFN

供应商器件封装: PG-HSOF-8-1

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