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SPB18P06P G代理

SPB18P06P G

Infineon | 单端场效应管
制造厂商:Infineon(英飞凌)
功能简述:MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263
原厂封装:PG-TO263-2
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  • Infineon英飞凌公司完整型号:SPB18P06P G
  • 制造厂家名称:Infineon Technologies
  • 描述:MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263
  • 系列:SIPMOS
  • FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):60V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):18.7A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):130 毫欧 @ 13.2A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):28nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):860pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:81.1W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商器件封装:PG-TO263-2
  • 耐智电子是国内领先的SPB18P06P G供应商
  • SPB18P06P G供应商-耐智电子
  • Infineon
    SPB100N08S2-07
  • Infineon
    SPB10N10
  • RF晶体管
    BFP 740FESD H6327
  • 单端场效应管
    SPD30N03S2L07T
  • 微控制器
    SAF-XC164TM-8F20F AA
  • 单端场效应管
    IPP037N08N3 G E8181
  • SPB18P06P G是Infineon英飞凌公司的一款产品,Infineon代理商耐智电子全程提供SPB18P06P G现货支持、优势价格、充足货源,是国内领先的SPB18P06P G供应商。

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