SPD08P06PGBTMA1

Infineon | FET - 单

制造厂商：Infineon（英飞凌）

功能简述：MOSFET P-CH 60V 8.83A 3TO252

原厂封装：TO-252-3，DPak

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Infineon英飞凌公司完整型号: SPD08P06PGBTMA1

制造厂家名称: Infineon Technologies

功能总体简述: MOSFET P-CH 60V 8.83A 3TO252

系列: SIPMOS

FET 类型: MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 8.83A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 300 毫欧 @ 10A，6.2V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 13nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 420pF @ 25V

功率 - 最大值: 42W

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装: PG-TO252-3

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