DN3135N8-G

Microchip | 单端场效应管

制造厂商：Microchip（微芯）

功能简述：MOSFET N-CH 350V 135MA SOT89-3

原厂封装：TO-243AA

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Microchip公司完整型号：DN3135N8-G

制造厂家名称：Microchip Technology

描述：MOSFET N-CH 350V 135MA SOT89-3

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：耗尽模式

漏源极电压 (Vdss)：350V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：135mA（Tj）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：35 欧姆 @ 150mA， 0V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：120pF @ 25V

功率 - 最大值：1.3W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-243AA

供应商器件封装：TO-243AA （SOT89）

耐智电子是国内领先的DN3135N8-G供应商

DN3135N8-G供应商-耐智电子

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