DN3765K4-G

Microchip | 单端场效应管

制造厂商：Microchip（微芯）

功能简述：MOSFET N-CH 650V 300MA 3DPAK

原厂封装：TO-252-3

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Microchip公司完整型号：DN3765K4-G

制造厂家名称：Microchip Technology

描述：MOSFET N-CH 650V 300MA 3DPAK

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：耗尽模式

漏源极电压 (Vdss)：650V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：300mA（Tj）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：8 欧姆 @ 150mA， 0V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：825pF @ 25V

功率 - 最大值：2.5W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装：TO-252-3

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