TN2130K1-G

Microchip | 单端场效应管

制造厂商：Microchip（微芯）

功能简述：MOSFET N-CH 300V 85MA SOT23-3

原厂封装：TO-236AB

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Microchip公司完整型号：TN2130K1-G

制造厂家名称：Microchip Technology

描述：MOSFET N-CH 300V 85MA SOT23-3

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：300V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：85mA（Tj）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：25 欧姆 @ 120mA， 4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：50pF @ 25V

功率 - 最大值：360mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：TO-236AB （SOT23）

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TN2130K1-G供应商-耐智电子

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