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MT49H64M9SJ-25E:B TR代理

MT49H64M9SJ-25E:B TR

Micron | 存储器
制造厂商:Micron(美光半导体)
功能简述:IC RLDRAM 576MBIT 2.5NS UBGA
原厂封装:144-TFBGA
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  • Micron美光半导体完整型号: MT49H64M9SJ-25E:B TR
  • 制造厂家名称: Micron Technology Inc.
  • 功能总体简述: IC RLDRAM 576MBIT 2.5NS UBGA
  • 系列: -
  • 格式 - 存储器: RAM
  • 存储器类型: RLDRAM 2
  • 存储容量: 576M(64M x 9)
  • 速度: 2.5ns
  • 接口: 并联
  • 电压 - 电源: 1.7 V ~ 1.9 V
  • 工作温度: 0°C ~ 95°C
  • 封装/外壳: 144-TFBGA
  • 供应商器件封装: 144-μBGA(18.5x11)
  • 耐智电子是国内领先的MT49H64M9SJ-25E:B TR供应商
  • MT49H64M9SJ-25E:B TR供应商-耐智电子
  • Micron
    MT49H64M9BM-25:B TR
  • Micron
    MT49H8M36SJ-25 IT:B
  • 存储器 - 模块
    MT18KSF1G72PZ-1G6E1
  • 存储器芯片
    M29W800DB70N6E
  • 存储器芯片
    MT29F128G08CBCABH6-6:A
  • 存储器芯片
    MT48LC8M8A2P-7E:G
  • MT49H64M9SJ-25E:B TR是Micron美光半导体公司的一款产品,Micron代理商耐智电子全程提供MT49H64M9SJ-25E:B TR现货支持、优势价格、充足货源,是国内领先的MT49H64M9SJ-25E:B TR供应商。

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