APT25GN120B2DQ2G

Microsemi | 单路IGBT

制造厂商：Microsemi（美高森美）

功能简述：IGBT 1200V 67A 272W TMAX

原厂封装：原厂封装

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Microsemi美高森美完整型号：APT25GN120B2DQ2G

制造厂家名称：Microsemi Power Products Group

描述：IGBT 1200V 67A 272W TMAX

系列：-

IGBT 类型：NPT，沟道和场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：67A

Current - Collector Pulsed (Icm)：75A

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.1V @ 15V，25A

功率 - 最大值：272W

Switching Energy：2.15μJ （关）

输入类型：标准

Gate Charge：155nC

25°C 时 Td（开/关）值：22ns/280ns

Test Condition：800V, 25A, 4.3 欧姆, 15V

反向恢复时间 (trr)：-

封装/外壳：TO-247-3 变式

安装类型：通孔

供应商器件封装：*

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APT25GN120B2DQ2G供应商-耐智电子

Microsemi

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二极管TVS

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IGBT模块

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