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APTM100A13DG代理

APTM100A13DG

Microsemi | 场效应管模块
制造厂商:Microsemi(美高森美)
功能简述:MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
原厂封装:SP6
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  • Microsemi美高森美完整型号:APTM100A13DG
  • 制造厂家名称:Microsemi Power Products Group
  • 描述:MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
  • 系列:-
  • FET 类型:2 个 N 通道(半桥)
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):1000V(1kV)
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):65A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):156 毫欧 @ 32.5A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 6mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):562nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):15200pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:1250W
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:SP6
  • 供应商器件封装:SP6
  • 耐智电子是国内领先的APTM100A13DG供应商
  • APTM100A13DG供应商-耐智电子
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  • 场效应管模块
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  • APTM100A13DG是Microsemi美高森美公司的一款产品,Microsemi代理商耐智电子全程提供APTM100A13DG现货支持、优势价格、充足货源,是国内领先的APTM100A13DG供应商。

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