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APTM120H140FT1G代理

APTM120H140FT1G

Microsemi | 场效应管模块
制造厂商:Microsemi(美高森美)
功能简述:MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1
原厂封装:SP1
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  • Microsemi美高森美完整型号:APTM120H140FT1G
  • 制造厂家名称:Microsemi Power Products Group
  • 描述:MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1
  • 系列:-
  • FET 类型:4 个 N 通道(H 桥)
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):1200V(1.2kV)
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):8A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):1.68 欧姆 @ 7A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):145nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3812pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:208W
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:SP1
  • 供应商器件封装:SP1
  • 耐智电子是国内领先的APTM120H140FT1G供应商
  • APTM120H140FT1G供应商-耐智电子
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  • 二极管TVS
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  • APTM120H140FT1G是Microsemi美高森美公司的一款产品,Microsemi代理商耐智电子全程提供APTM120H140FT1G现货支持、优势价格、充足货源,是国内领先的APTM120H140FT1G供应商。

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