APTM20DHM10G

Microsemi | 场效应管模块

制造厂商：Microsemi（美高森美）

功能简述：MOSFET 2N-CH 200V 175A SP6

原厂封装：SP6

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Microsemi美高森美完整型号：APTM20DHM10G

制造厂家名称：Microsemi Power Products Group

描述：MOSFET 2N-CH 200V 175A SP6

系列：-

FET 类型：2 N 沟道（双）非对称型

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：200V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：175A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：12 毫欧 @ 87.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 5mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：224nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：13700pF @ 25V

功率 - 最大值：694W

安装类型：底座安装

封装/外壳：SP6

供应商器件封装：SP6

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