BLF6G10LS-200R,112

NXP | RF场效应管

制造厂商：NXP（恩智浦）

功能简述：IC BASESTATION FINAL SOT502B

原厂封装：SOT502B

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NXP恩智浦完整型号：BLF6G10LS-200R,112

制造厂家名称：NXP Semiconductors

描述：IC BASESTATION FINAL SOT502B

系列：-

晶体管类型：LDMOS

频率：871.5MHz ~ 891.5MHz

增益：20dB

电压 - 测试：28V

额定电流：49A

噪声系数：-

电流 - 测试：1.4A

功率 - 输出：40W

电压 - 额定：65V

封装/外壳：SOT-502B

供应商器件封装：SOT502B

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BLF6G10LS-200R,112供应商-耐智电子

NXP

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专用逻辑芯片

单齐纳二极管

栅极和逆变器芯片

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